RF MOSFET 50 V 200 mA 1,03GHz 19,7dB 500W NI-780H-2L
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
RF MOSFET 50 V 200 mA 1,03GHz 19,7dB 500W NI-780H-2L
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

MMRF1009HR5

Numéro de produit DigiKey
MMRF1009HR5TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
MMRF1009HR5
Description
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Référence client
Description détaillée
RF MOSFET 50 V 200 mA 1,03GHz 19,7dB 500W NI-780H-2L
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Courant - Test
200 mA
Fabricant
NXP USA Inc.
Puissance - Sortie
500W
Conditionnement
Bande et bobine
Tension - Nominale
110 V
Statut du composant
Obsolète
Type de montage
Montage sur châssis
Technologies
LDMOS
Boîtier
SOT-957A
Fréquence
1,03GHz
Boîtier fournisseur
NI-780H-2L
Gain
19,7dB
Numéro de produit de base
Tension - Test
50 V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué.