RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
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RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
5G Wireless Infrastructure for a Connected World

AFT31150NR5

Numéro de produit DigiKey
568-13436-2-ND - Bande et bobine
568-13436-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
NXP USA Inc.
Numéro de produit du fabricant
AFT31150NR5
Description
RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
RF MOSFET 32 V 100 mA 2,7GHz ~ 3,1GHz 17,2dB 150W OM-780-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NXP USA Inc.
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Technologies
LDMOS
Fréquence
2,7GHz ~ 3,1GHz
Gain
17,2dB
Tension - Test
32 V
Courant nominal (A)
10µA
Facteur de bruit
-
Courant - Test
100 mA
Puissance - Sortie
150W
Tension - Nominale
65 V
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
OM-780-2
Boîtier fournisseur
OM-780-2
Numéro de produit de base
AFT31150
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1355,03000 $355,03 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
50394,10520 $19 705,26 $
Conditionnement standard du fabricant