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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BZX8450-B10R | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1727-BZX8450-B10RTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZX8450-B10R |
Description | DIODE ZENER 10V 250MW TO236AB |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 10 V 250 mW ±2% Montage en surface TO-236AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 20 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 7.6 V |
Série | Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 10 mA |
Conditionnement Bande et bobine | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Type de montage Montage en surface |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier |
Tolérance ±2% | Boîtier fournisseur TO-236AB |
Puissance - Max. 250 mW |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZX84-B10-QR | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BZX84-B10-QRCT-ND | 0,26000 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX84-B10-QVL | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BZX84-B10-QVLTR-ND | 0,03850 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX84B10-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX84B10-HE3_A-08TR-ND | 0,08670 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX84B10-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX84B10-HE3_A-18TR-ND | 0,09035 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX84B10VLT116 | Rohm Semiconductor | 1 671 | 846-BZX84B10VLT116CT-ND | 0,32000 $ | Équivalent paramétrique |
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