30-QFN
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NV6127-RA

Numéro de produit DigiKey
1913-NV6127-RATR-ND - Bande et bobine
1913-NV6127-RACT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant
NV6127-RA
Description
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 12 A 30-PowerVQFN
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NV6127-RA Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Série
GaNFast™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Type
MOSFET
Configuration
Demi- pont
Courant
12 A
Tension
650 V
Tension - Isolement
-
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
30-PowerVQFN
Numéro de produit de base
NV6127
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En stock: 363
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
19,37000 $9,37 $
107,18200 $71,82 $
256,63440 $165,86 $
1006,03260 $603,26 $
2505,74556 $1 436,39 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0005,43020 $5 430,20 $
2 0005,31303 $10 626,06 $
3 0005,25436 $15 763,08 $
Conditionnement standard du fabricant