Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 5 A 8-PowerVDFN
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Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 5 A 8-PowerVDFN
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eMobility and Micro-grids #2

NV6113-RA

Numéro de produit DigiKey
1913-NV6113-RATR-ND - Bande et bobine
1913-NV6113-RACT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant
NV6113-RA
Description
MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Demi- pont 650 V 5 A 8-PowerVDFN
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Configuration
Demi- pont
Fabricant
Navitas Semiconductor, Inc.
Courant
5 A
Série
Tension
650 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Type de montage
Montage en surface
Statut du composant
Actif
Boîtier
8-PowerVDFN
Type
MOSFET
Numéro de produit de base
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 1 029
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
14,73000 $4,73 $
103,54500 $35,45 $
253,24880 $81,22 $
1002,92210 $292,21 $
2502,76628 $691,57 $
5002,67240 $1 336,20 $
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0002,53148 $5 062,96 $
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