Canal P 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
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VP3203N3-G

Numéro de produit DigiKey
VP3203N3-G-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
VP3203N3-G
Description
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
VP3203N3-G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 10mA
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Sac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
300 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
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Sac
Quantité Prix unitaire Prix total
12,67000 $2,67 $
252,22480 $55,62 $
1002,00810 $200,81 $