Canal P 200 V 175mA (Tj) 1W (Ta) Trou traversant TO-92-3
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TP0620N3-G

Numéro de produit DigiKey
TP0620N3-G-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
TP0620N3-G
Description
MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 200 V 175mA (Tj) 1W (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TP0620N3-G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
Sac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
175mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12ohms à 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
150 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base
TP0620
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Quantité
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Sac
Quantité Prix unitaire Prix total
12,95000 $2,95 $
252,43760 $60,94 $
1002,23590 $223,59 $