Name: TP0606N3-G-P002
Brand: Microchip Technology
SKU: TP0606N3-G-P002-ND
Price: 1.40148 CAD
Availability: OutOfStock

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TP0606N3-G-P002
Numéro de produit DigiKey	TP0606N3-G-P002-ND - Bande et bobine
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	TP0606N3-G-P002
Description	MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TP0606N3-G-P002 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 1mA
Fabricant Microchip Technology	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320mA (Tj)	Boîtier TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Numéro de produit de base TP0606
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5ohms à 750mA, 10V