Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
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LND150N3-G-P013

Numéro de produit DigiKey
LND150N3-G-P013-ND - Bande et boîte
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
LND150N3-G-P013
Description
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
LND150N3-G-P013 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et boîte
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1000ohms à 500µA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
10 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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Disponible sur commande
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Bande et boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,75741 $1 514,82 $
Conditionnement standard du fabricant