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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 12 425
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Fiche technique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
1N5998B/TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-1N5998B/TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 1N5998B/TR |
Description | DIODE ZENER 8.2V 500MW DO204AH |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 8.2 V 500 mW ±5% Trou traversant DO-204AH (DO-35) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 7 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 500 nA @ 6.5 V |
Conditionnement Bande et bobine | Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 200 mA |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Type de montage Trou traversant |
Tolérance ±5% | Boîtier |
Puissance - Max. 500 mW | Boîtier fournisseur DO-204AH (DO-35) |
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| Numéro de référence | cms-manufacturer | cms-qty-avail | Numéro de produit DigiKey | cms-unit-price | cms-subs-type |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5998B | Microchip Technology | 0 | 1N5998BMS-ND | 4,85003 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5998C | Microchip Technology | 0 | 1N5998C-ND | 6,16268 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5998D | Microchip Technology | 0 | 1N5998D-ND | 7,69780 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX55B8V2-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 12 425 | BZX55B8V2-TAPGICT-ND | 0,78000 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX55C8V2-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 35 577 | BZX55C8V2-TAPGICT-ND | 0,69000 $ | Équivalent paramétrique |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 272 | 5,13926 $ | 1 397,88 $ |
