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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BZT52B10-TP | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BZT52B10-TP-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZT52B10-TP |
Description | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 10 V 410 mW ±2% Montage en surface SOD-123 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 7.5 V |
Fabricant | Tension - Directe (Vf) (max.) à If 900 mV @ 10 mA |
Conditionnement Bande et bobine | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Statut du composant Actif | Type de montage Montage en surface |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier |
Tolérance ±2% | Boîtier fournisseur SOD-123 |
Puissance - Max. 410 mW | Numéro de produit de base |
Impédance (max.) (Zzt) 15 Ohms |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B10-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B10-G3-08-ND | 0,06790 $ | Similaire |
| BZT52B10-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B10-HE3-08GICT-ND | 0,46000 $ | Similaire |
| BZT52B10-HE3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B10-HE3-18-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| BZT52C10-7-F | Diodes Incorporated | 238 818 | BZT52C10-FDICT-ND | 0,29000 $ | Similaire |
| BZT52C10-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52C10-G3-08-ND | 0,06032 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,05463 $ | 163,89 $ |
| 6 000 | 0,04863 $ | 291,78 $ |
| 9 000 | 0,04557 $ | 410,13 $ |
| 15 000 | 0,04212 $ | 631,80 $ |
| 21 000 | 0,04008 $ | 841,68 $ |
| 30 000 | 0,03809 $ | 1 142,70 $ |
