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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTA08N100D2HV | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTA08N100D2HV-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA08N100D2HV |
Description | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Montage en surface TO-263HV |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 25µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.6 nC @ 5 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 60W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Boîtier fournisseur TO-263HV |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 0V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 21ohms à 400mA, 0V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 600
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 9,81000 $ | 9,81 $ |
| 50 | 5,17500 $ | 258,75 $ |
| 100 | 4,72770 $ | 472,77 $ |
| 500 | 3,94494 $ | 1 972,47 $ |
| 1 000 | 3,69366 $ | 3 693,66 $ |
| 2 000 | 3,56008 $ | 7 120,16 $ |
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