Name: ISZ75DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND
Price: 2.1 CAD
Availability: InStock

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ISZ75DP15LMATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ75DP15LMATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ75DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ75DP15LMATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 1,13A (Ta), 5,1A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-26
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ75DP15LMATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,13A (Ta), 5,1A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	750mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 543µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-26
Boîtier	8-PowerTDFN