Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 7.25 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

ISG0613N04NM6HATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISG0613N04NM6HATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface PG-VITFN-10-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,88mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 780µA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6200pF à 20V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier 10-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42A (Ta), 299A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-VITFN-10-1