Name: ISA170230C04LMDSXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISA170230C04LMDSXTMA1TR-ND
Price: 2.31 CAD
Availability: InStock

MOSFET - Matrices 40V 7,2A (Ta), 9,6A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-920

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ISA170230C04LMDSXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISA170230C04LMDSXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISA170230C04LMDSXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISA170230C04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISA170230C04LMDSXTMA1
Description	ISA170230C04LMDSXTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 7,2A (Ta), 9,6A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc) 1,4W (Ta), 2,5W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-920
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 3
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2A (Ta), 9,6A (Tc), 6,6A (Ta), 8,8A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	17mohms à 9,6A, 10V, 23mohms à 8,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,7V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19,5nC à 10V, 19nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100pF à 20V, 2500pF à 20V
Puissance - Max.	1,4W (Ta), 2,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-920