IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IRFHS9301TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 2,00000 $

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IRFHS9301TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFHS9301TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFHS9301TRPBF
Description	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 6 A (Ta), 13 A (Tc) 2,1W (Ta) Montage en surface 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFHS9301TRPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 25µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 580 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta), 13 A (Tc)	Boîtier 6-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRFHS9301
Rds On (max.) à Id, Vgs 37mohms à 7,8A, 10V