IRF9389TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Montage en surface 8-SO
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF9389TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF9389TRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRF9389TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRF9389TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF9389TRPBF
Description
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF9389TRPBF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
27mohms à 6,8A, 10V
Fabricant
Infineon Technologies
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 10µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14nC à 10V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
398pF à 15V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
2W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
Canaux N et P
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier fournisseur
8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,8 A, 4,6 A
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMC3025LSD-13Diodes Incorporated11 727DMC3025LSD-13DICT-ND1,22000 $Similaire
SP8M10FRATBRohm Semiconductor881846-SP8M10FRATBCT-ND3,45000 $Similaire
XP3700MYAGEO XSEMI5245048-XP3700MCT-ND0,92000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.