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MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Montage en surface 8-SO
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IRF9389PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF9389PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF9389PBF
Description
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,6 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF9389PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,8 A, 4,6 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
27mohms à 6,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 10µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
398pF à 15V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
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