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Fiche technique
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IRF7904PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF7904PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF7904PBF
Description
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 7,6 A, 11 A 1,4W, 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7,6 A, 11 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
16,2mohms à 7,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,25V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
910pF à 15V
Puissance - Max.
1,4W, 2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.