
IRF7341TRPBFXTMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF7341TRPBFXTMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 25 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-902 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRF7341TRPBFXTMA1 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 4,7A, 10V |
Fabricant Infineon Technologies | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 740pF à 25V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 2W (Tc) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 55V | Boîtier fournisseur PG-DSO-8-902 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,7 A (Tc) |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,11000 $ | 2,11 $ |
| 10 | 1,32600 $ | 13,26 $ |
| 100 | 0,87490 $ | 87,49 $ |
| 500 | 0,68130 $ | 340,65 $ |
| 1 000 | 0,61897 $ | 618,97 $ |
| 2 000 | 0,56653 $ | 1 133,06 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 4 000 | 0,52241 $ | 2 089,64 $ |
| 8 000 | 0,48533 $ | 3 882,64 $ |
| 12 000 | 0,46645 $ | 5 597,40 $ |
| 20 000 | 0,44523 $ | 8 904,60 $ |
| 28 000 | 0,43559 $ | 12 196,52 $ |


