MOSFET - Matrices 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-902
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IRF7341TRPBFXTMA1

Numéro de produit DigiKey
448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF7341TRPBFXTMA1
Description
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface PG-DSO-8-902
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF7341TRPBFXTMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,7 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
50mohms à 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
740pF à 25V
Puissance - Max.
2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
PG-DSO-8-902
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En stock: 29 899
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
4 0000,49225 $1 969,00 $
8 0000,45731 $3 658,48 $
12 0000,43951 $5 274,12 $
20 0000,43917 $8 783,40 $
Conditionnement standard du fabricant
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,99000 $1,99 $
101,24800 $12,48 $
1000,82430 $82,43 $
5000,64196 $320,98 $
1 0000,58322 $583,22 $
2 0000,53755 $1 075,10 $
Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,19000 $2,19 $
101,37400 $13,74 $
1000,90680 $90,68 $
5000,70616 $353,08 $
1 0000,64156 $641,56 $
2 0000,58719 $1 174,38 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
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