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Fiche technique
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MOSFET - Matrices 12V 6,3 A, 3 A 2W Montage en surface 8-SO
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IRF7338TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF7338TRPBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF7338TRPBF
Description
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 12V 6,3 A, 3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,3 A, 3 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
34mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8,6nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
640pF à 9V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF733
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Obsolète
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