Name: IRF7313TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.76 CAD
Availability: OutOfStock

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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

UMW

En stock: 2 941

Prix unitaire : 1,55000 $

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IRF7313TRPBFXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF7313TRPBFXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF7313TRPBFXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF7313TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7313TRPBFXTMA1
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,5 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8-902
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,5 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	29mohms à 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	650pF à 25V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-902