Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 6.53 CAD
Availability: InStock

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IRF5210STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF5210STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF5210STRLPBF
Description	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	36 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 38 A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF5210STRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 230 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2780 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF5210
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 38A, 10V