


IPG20N10S4L35ATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPG20N10S4L35ATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 20A 43W Montage en surface PG-TDSON-8-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPG20N10S4L35ATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 16µA |
Fabricant Infineon Technologies | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17,4nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1105pF à 25V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 43W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (double) | Qualification AEC-Q101 |
Fonction FET Porte de niveau logique | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier 8-PowerVDFN |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A | Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 17A, 10V | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,26000 $ | 3,26 $ |
| 10 | 2,08500 $ | 20,85 $ |
| 100 | 1,40780 $ | 140,78 $ |
| 500 | 1,11760 $ | 558,80 $ |
| 1 000 | 1,02427 $ | 1 024,27 $ |
| 2 000 | 0,97858 $ | 1 957,16 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 000 | 0,86089 $ | 4 304,45 $ |
| 10 000 | 0,80845 $ | 8 084,50 $ |
| 15 000 | 0,79949 $ | 11 992,35 $ |













