Name: IPG20N04S418AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S418AATMA1TR-ND
Price: 0.68827 CAD
Availability: OutOfStock

MOSFET - Matrices 40V 20 A (Tc) 26W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PG-TDSON-8-10

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IPG20N04S418AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPG20N04S418AATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N04S418AATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 20 A (Tc) 26W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PG-TDSON-8-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N04S418AATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 10V
Fabricant Infineon Technologies	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 789pF à 25V
Série OptiMOS™ T2	Puissance - Max. 26W (Tc)
Conditionnement Bande et bobine	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-10
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,4mohms à 17A, 10V	Numéro de produit de base IPG20N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 8µA

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Bande et bobine