Name: IPG20N04S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND
Price: 2.85 CAD
Availability: OutOfStock

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IPG20N04S412ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPG20N04S412ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPG20N04S412ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPG20N04S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N04S412ATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 20A 41W Montage en surface PG-TDSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N04S412ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18nC à 10V
Fabricant Infineon Technologies	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1470pF à 25V
Série OptiMOS™	Puissance - Max. 41W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-4
Rds On (max.) à Id, Vgs 12,2mohms à 17A, 10V	Numéro de produit de base IPG20N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 15µA