IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPD85P04P407ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

En stock: 7 682

Prix unitaire : 3,43000 $

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IPD85P04P407ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD85P04P407ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD85P04P407ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD85P04P407ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD85P04P407ATMA1
Description	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 85 A (Tc) 88W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 89 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6085 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 88W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-313
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,3mohms à 85A, 10V	Numéro de produit de base IPD85P04
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA