Name: IPD50P04P4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND
Price: 2.59 CAD
Availability: InStock

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IPD50P04P4L11ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD50P04P4L11ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD50P04P4L11ATMA2
Description	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 50 A (Tc) 58W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD50P04P4L11ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ P2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,6mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 85µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+5V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3900 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	58W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3-313
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD50