MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221
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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMSQ120R026M2HHXUMA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMSQ120R026M2HHXUMA1
Description
SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
39 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
26mohms à 27A, 18V
Fabricant
Infineon Technologies
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 8,6mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
54nC à 0V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1990pF à 800V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
410W (Tc)
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier
24-BSOP (0,606po, 15,40mm de largeur), 16 sorties, plot exposé
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
83 A (Tc)
Boîtier fournisseur
PG-HDSOP-16-221
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 653
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
136,78000 $36,78 $
1026,50600 $265,06 $
10024,49420 $2 449,42 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
75020,01157 $15 008,68 $
Conditionnement standard du fabricant