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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FS25R12W1T4BOMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FS25R12W1T4BOMA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FS25R12W1T4BOMA1 |
Description | IGBT MOD 1200V 45A 205W MOD |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 1200 V 45 A 205 W Montage sur châssis Module |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FS25R12W1T4BOMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 1 mA |
Fabricant Infineon Technologies | Capacité d'entrée (Cies) à Vce 1.45 nF @ 25 V |
Conditionnement Plateau | Entrée Standard |
Statut du composant Actif | Thermistance CTN Oui |
Type d'IGBT À tranchées à champ limité | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Inverseur triphasé | Type de montage Montage sur châssis |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 1200 V | Boîtier Module |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 45 A | Boîtier fournisseur Module |
Puissance - Max. 205 W | Numéro de produit de base |
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,25V à 15V, 25A |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 59,11000 $ | 59,11 $ |
| 24 | 39,50500 $ | 948,12 $ |
| 120 | 34,15483 $ | 4 098,58 $ |
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24En stock
Expédié par Rochester Electronics, LLC
