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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FP100R07N3E4BOSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-FP100R07N3E4BOSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FP100R07N3E4BOSA1 |
Description | IGBT MOD 650V 100A 335W MOD |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 650 V 100 A 335 W Montage sur châssis Module |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vce(on) (max.) à Vge, Ic 1,95V à 15V, 100A |
Fabricant Infineon Technologies | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 1 mA |
Série | Capacité d'entrée (Cies) à Vce 6.2 nF @ 25 V |
Conditionnement Plateau | Entrée Standard |
Statut du composant Actif | Thermistance CTN Non |
Type d'IGBT À tranchées à champ limité | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C |
Configuration Inverseur triphasé | Type de montage Montage sur châssis |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 650 V | Boîtier Module |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 A | Boîtier fournisseur Module |
Puissance - Max. 335 W | Numéro de produit de base |
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Quantité
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Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 157,72000 $ | 157,72 $ |
| 10 | 123,95300 $ | 1 239,53 $ |
| 100 | 123,57290 $ | 12 357,29 $ |
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22En stock
Expédié par Rochester Electronics, LLC
