FF6MR12W2M1B11BOMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Infineon Technologies
En stock: 59
Prix unitaire : 224,11000 $
Fiche technique
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2BM-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Numéro de produit DigiKey
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2BM-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,63mohms à 200A, 15V
Fabricant
Infineon Technologies
Vgs(th) (max.) à Id
5,55V à 80mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
496nC à 15V
Conditionnement
Plateau
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14700pF à 800V
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Type de montage
Montage sur châssis
Configuration
2 canaux N (double)
Boîtier
Module
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier fournisseur
AG-EASY2BM-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
200A (Tj)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon Technologies59448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND224,11000 $Équivalent paramétrique
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.