FFxMR12W2M1
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF4MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 170A 20mW Montage sur châssis AG-EASY2B
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
170A
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 200A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,15V à 80mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
594nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
17600pF à 800V
Puissance - Max.
20mW
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-EASY2B
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 13
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CAD
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1270,42000 $270,42 $
18249,13167 $4 484,37 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.