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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FF3MR12KM1HHPSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FF3MR12KM1HHPSA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 14 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MMHB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FF3MR12KM1HHPSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 190 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,44mohms à 280A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,1V à 112mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 800nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 24200pF à 800V | |
Puissance - Max. | - | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | AG-62MMHB |
En stock: 19
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Boîte
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 436,86000 $ | 436,86 $ |
| 10 | 377,69500 $ | 3 776,95 $ |
| 30 | 376,90167 $ | 11 307,05 $ |
Canada