FF2MR12W3M1HB11BPSA1
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
FF2MR12W3M1HB11BPSA1-view2

FF2MR12W3M1HB11BPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF2MR12W3M1HB11BPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Description
MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 400A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY3B
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FF2MR12W3M1HB11BPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
400A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,27mohms à 400A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,15V à 224mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1600nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
48400pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
AG-EASY3B
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 11
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CAD
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1679,07000 $679,07 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.