Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2B |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modèles |
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 100A, 18V |
Fabricant Infineon Technologies | Vgs(th) (max.) à Id 5,15V à 40mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 297nC à 18V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8800pF à 800V |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Type de montage Montage sur châssis |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Boîtier Module |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier fournisseur AG-EASY2B |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85A (Tj) | Numéro de produit de base |
Signaler une erreur dans les informations sur le produit
Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 13
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 184,62000 $ | 184,62 $ |
| 18 | 149,11444 $ | 2 684,06 $ |
