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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-F3L6MR20W2M1HB70BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Description | F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 2000V (2kV) 155A (Tj) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Drain continu (Id) à 25°C 155A (Tj) |
Fabricant Infineon Technologies | Rds On (max.) à Id, Vgs 8,7mohms à 100A, 18V |
Série | Vgs(th) (max.) à Id 5,15V à 112mA |
Conditionnement Plateau | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 297nC à 18V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 24100pF à 1200V |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 4 Canal N | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 2000V (2kV) | Boîtier Module |
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Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 506,07000 $ | 506,07 $ |
| 15 | 408,58933 $ | 6 128,84 $ |
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