Name: BSP171IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSP171IATMA1TR-ND
Price: 1.16 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSP171IATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSP171IATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSP171IATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSP171IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSP171IATMA1
Description	BSP171IATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 1,9A (Ta), 3,2A (Tc) 1,8W (Ta), 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223-4-U01
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,9A (Ta), 3,2A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	250mohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	550 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223-4-U01
Boîtier	TO-261-3