Name: BSO613SPVGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND
Price: 2.33 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSO613SPVGXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSO613SPVGXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSO613SPVGXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSO613SPVGXUMA1
Description	MOSFET P-CH 8-SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 3,44 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSO613SPVGXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,44 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	130mohms à 3,44A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	875 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8-6
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	BSO613