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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BSG0813NDIATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-BSG0813NDIATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSG0813NDIATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSG0813NDIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BSG0813NDIATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 48 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 25V 19 A, 33 A 2,5W Montage en surface PG-TISON-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | BSG0813NDIATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Fabricant Infineon Technologies | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,4nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 12V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 2,5W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ) |
Configuration 2 à canal N (double), asymétriques | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 4,5V | Boîtier 8-PowerTDFN |
Tension drain-source (Vdss) 25V | Boîtier fournisseur PG-TISON-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19 A, 33 A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 20A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 4 824
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,76000 $ | 4,76 $ |
| 10 | 3,08300 $ | 30,83 $ |
| 100 | 2,12650 $ | 212,65 $ |
| 500 | 1,71724 $ | 858,62 $ |
| 1 000 | 1,64117 $ | 1 641,17 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 000 | 1,35554 $ | 6 777,70 $ |
| 10 000 | 1,34083 $ | 13 408,30 $ |
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