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RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Montage en surface PG-SOT343-3D
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BFP182WE6327HTSA1

Numéro de produit DigiKey
BFP182WE6327HTSA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
BFP182WE6327HTSA1
Description
RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Référence client
Description détaillée
RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Montage en surface PG-SOT343-3D
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de transistor
NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
12V
Fréquence - Transition
8GHz
Facteur de bruit (dB typ. à f)
0,9dB ~ 1,3dB ~ 900MHz ~ 1,8GHz
Gain
22dB
Puissance - Max.
250mW
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
70 à 10mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
35mA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SC-82A, SOT-343
Boîtier fournisseur
PG-SOT343-3D
Numéro de produit de base
BFP182
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Obsolète
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