Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 4.61 CAD
Availability: InStock

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G080P06M
Numéro de produit DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Bande et bobine 3141-G080P06MCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G080P06M
Description	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 195 A (Tc) 294W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5mohms à 20A, 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 186 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15870 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 294W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB