Canal P 20 V 6,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
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DI6A7P02SQ

Numéro de produit DigiKey
4878-DI6A7P02SQ-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DI6A7P02SQ
Description
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 6,7 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI6A7P02SQ Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,7V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
40mohms à 3,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
550mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1500 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SO
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
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Quantité
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
4 0000,23152 $926,08 $
Conditionnement standard du fabricant