
ZXMN6A11DN8TA | |
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Numéro de produit DigiKey | ZXMN6A11DN8TR-ND - Bande et bobine ZXMN6A11DN8CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ZXMN6A11DN8TA |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 2,5A 1,8W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA (min) |
Fabricant Diodes Incorporated | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,7nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 330pF à 40V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1,8W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier fournisseur 8-SO |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 120mohms à 2,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 9 653 | IRF7103PBFCT-ND | 2,18000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,45000 $ | 2,45 $ |
| 10 | 1,54700 $ | 15,47 $ |
| 100 | 1,02800 $ | 102,80 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 0,80532 $ | 402,66 $ |
| 1 000 | 0,73364 $ | 733,64 $ |
| 1 500 | 0,69711 $ | 1 045,66 $ |
| 2 500 | 0,65604 $ | 1 640,10 $ |
| 3 500 | 0,63173 $ | 2 211,05 $ |
| 5 000 | 0,60810 $ | 3 040,50 $ |

