Name: ZXMN6A09DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09DN8TR-ND
Price: 4.42 CAD
Availability: InStock

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ZXMN6A09DN8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN6A09DN8TR-ND - Bande et bobine ZXMN6A09DN8CT-ND - Bande coupée (CT) ZXMN6A09DN8DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN6A09DN8TA
Description	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 4,3A 1,25W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24,2nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1407pF à 40V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,25W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3A	Numéro de produit de base ZXMN6
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 8,2A, 10V

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ZXMN6A09DN8TA