
ZXMN2A04DN8TA | |
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Numéro de produit DigiKey | ZXMN2A04DN8TR-ND - Bande et bobine ZXMN2A04DN8CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ZXMN2A04DN8TA |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 5,9A 1,8W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 700mV à 250µA (min) |
Fabricant Diodes Incorporated | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22,1nC à 5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1880pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1,8W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 8-SO |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,9A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 5,9A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,53000 $ | 4,53 $ |
| 10 | 2,92900 $ | 29,29 $ |
| 100 | 2,01410 $ | 201,41 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 500 | 1,62284 $ | 811,42 $ |
| 1 000 | 1,49706 $ | 1 497,06 $ |
| 1 500 | 1,43299 $ | 2 149,49 $ |
| 2 500 | 1,36100 $ | 3 402,50 $ |
| 3 500 | 1,31839 $ | 4 614,36 $ |
| 5 000 | 1,27697 $ | 6 384,85 $ |

