Name: ZXMC3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC3F31DN8TADITR-ND
Price: 1.99 CAD
Availability: InStock

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ZXMC3F31DN8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMC3F31DN8TADITR-ND - Bande et bobine ZXMC3F31DN8TADICT-ND - Bande coupée (CT) ZXMC3F31DN8TADIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMC3F31DN8TA
Description	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,9 A 1,8W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12,9nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 608pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,8W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 4,5V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,8 A, 4,9 A	Numéro de produit de base ZXMC3
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 7A, 10V

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Documents et supports

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ZXMC3F31DN8TA