Name: ZXMC3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC3F31DN8TADITR-ND
Price: 1.67 CAD
Availability: InStock

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ZXMC3F31DN8TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMC3F31DN8TADITR-ND - Bande et bobine ZXMC3F31DN8TADICT-ND - Bande coupée (CT) ZXMC3F31DN8TADIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMC3F31DN8TA
Description	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,8 A, 4,9 A 1,8W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 4,5V
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8 A, 4,9 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12,9nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	608pF à 15V
Puissance - Max.	1,8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	ZXMC3