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Diodes Incorporated
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Prix unitaire : 0,99612 $
Fiche technique
MOSFET - Matrices 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8 (Type UXD)
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DMTH10H025LPDWQ-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMTH10H025LPDWQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMTH10H025LPDWQ-13
Description
MOSFET 2N-CH 100V 28A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8 (Type UXD)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22nC à 10V
Fabricant
Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1463pF à 50V
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Max.
3,4W (Ta), 40W (Tc)
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Grade
Automobile
Configuration
2 canaux N (double)
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
100V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
28 A (Tc)
Boîtier
8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 20A, 10V
Boîtier fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMTH10H025LPDW-13Diodes Incorporated031-DMTH10H025LPDW-13TR-ND0,99612 $Équivalent paramétrique
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,89923 $2 248,07 $
5 0000,86918 $4 345,90 $
Conditionnement standard du fabricant