Name: DMN61D9UDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND
Price: 0.06018 CAD
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN61D9UDWQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN61D9UDWQ-13
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 318mA (Ta) 370mW (Ta) Montage en surface SOT-363
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	318mA (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 50mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,6nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	39pF à 30V
Puissance - Max.	370mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	SOT-363
Numéro de produit de base	DMN61

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Bande et bobine